< Вернуться назад

№ 384502, размещено 12.02.2015 .  Последнее обновление: 12.02.2015

381

Город: Москва

E-mail: 2850151587@qq.com

Поставщик: Шеньчженьская электротехническая компания лтд Mingjiada

Цена: договорная

Показать телефон
() XXX-XX-XX Пожаловаться
Описание

Спецификации: Производитель: Toshiba Описание: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 380pF @ 300V Тип FET: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Особенности FET: Standard Мощность (макс.): 60W Тип монтажа: Surface Mount Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63